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Section31

미니 TSMC, 사실상 핀펫 공정 한계에 도달

  • Section31
  • 조회 수 1559
  • 2023.03.06. 19:45

요약)

 

1) TSMC의 3nm 공정은,

- 핀 높이, 게이트 길이 및 트랜지스터(단일 핀)당 핀 수에 대한 제한에 도달했기 때문에,

- 점진적인 개선만을 제공했다.

 

2) 확산 단 차단(Single diffusion break), 활성 게이트를 통한 접촉 및 FinFlex와 같은 기능을 구현한 후에는,

FinFET 기반 공정 기술을 개선할 여지가 더 이상 남지 않을 것이다.

5
Section31
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댓글
8
Section31
글쓴이
Section31 Daylight 님께
2023.03.06. 19:47

문제는 인텔도 3nm 공정에 핀펫 도입(...)

2
[Section31]님의 댓글을 신고합니다. 취소 신고
aleji
2등 aleji
2023.03.06. 19:54

가짜 3나노의 최후네요 ㄷㄷ

2
[aleji]님의 댓글을 신고합니다. 취소 신고
루즈
best 3등 루즈
2023.03.06. 19:55

제발 삼성 ㅜㅠ 3나노 gaa, gap 공정 먼저 도입한 만큼 치고나가야 된다....

12
[루즈]님의 댓글을 신고합니다. 취소 신고
Section31
글쓴이
Section31 루즈 님께
2023.03.06. 19:58

3GAE는 그나마 괜찮다고 하는데(이건 범용칩 제조라기보단 ASIC 제조라서), 3GAP가 관건이죠.

1
[Section31]님의 댓글을 신고합니다. 취소 신고
Butzed
Butzed
2023.03.06. 21:33

N3E도 SRAM 면적 줄이는게 힘들군요 ㄷㄷ

1
[Butzed]님의 댓글을 신고합니다. 취소 신고
gamma
best gamma
2023.03.06. 21:40

면적 줄이려면 핀 폭이 줄어야되고 전류량 유지하려면 핀 높이를 높이거나 개수를 늘려야되는데

높이는 한계가 너무하다싶을 정도로 심하게 걸려있고 개수 늘리면 면적 못 줄이지요.

4
[gamma]님의 댓글을 신고합니다. 취소 신고
하루옹
하루옹
2023.03.07. 07:00

삼성이 먼저 GAA 도입했으니 관련 특허도 가지고 있을테니

TSMC쪽에서 어떻게 특허를 우회해서 만들지가 향후 경쟁의 관건이겠네요...

1
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