반도체 업계에서 SiC, GaN을 이을 차세대 전력반도체 소재로 산화갈륨(GA2O3)이 주목받고 있다. 국내 기업 및 기관들도 산화갈륨 관련 기술 확보에 박차를 가하는 중이다. 하지만, 특허 확보 경쟁에서는 여전히 일본, 중국 등에 밀리는 것으로 나타났다.지난 23일 판교 소재의 한국반도체산업협회 본사에서는 '산화갈륨 전력반도체 기술로드맵 세미나'가 개최됐다.산화갈륨은 SiC(실리콘카바이드), GaN(질화갈륨) 등과 마찬가지로 차세대 전력반도체 소재로 꼽히는 와이드밴드갭(WBG) 물질에 해당한다. 밴드갭은 전자가 모여


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