글로벌 메모리 업계에서 D램 미세화 한계 돌파의 방향성이 새로운 화두로 떠올랐다. 10나노 이후 차세대 공정의 중심축이 무엇이 될 것이냐를 두고 주요 기업들이 각기 다른 좌표설정을 하고 있어서다. 현재로선 4F스퀘어, 3D D램 등 두갈래로 나뉜다. 업계에서는 차세대 D램 공정의 분기점이 2027년 이후가 될 것이라고 예상하고 있다. 최정동 테크인사이츠 펠로우는 지난 8일 서울 역삼동 포스코타워에서 《디일렉》주최로 열린 '2023 차세대 메모리공정 장비·소재·기술 콘퍼런스'에서 "(차세대 D램 공정이) High-NA


기사 더 읽기