메모리 컨트롤러는 원하는 행을 활성화한 후에 읽기 명령을 보낸다. 이 지연 시간을 tRCD(Row-to-Column Delay, 행렬 지연)라고 한다. 하나의 행에서 하나의 열에 대한 접근 시간에 해당한다. 그 다음은 실제 접근 시간(CL, CAS Latency)이다. 읽기 명령을 내린 후 원하는 데이터가 도착하기까지의 시간, 다시 말하면 열에 대한 접근 시간을 나타낸다. 읽기 행은 그 후에 비활성화된다. 활성화부터 읽기와 데이터 출력, 그리고 비활성화까지의 전체 주기는 tRAS(Active-to-Precharge Time) 시간, 활성-사전 충전 시간이라고 부른다. 해당 행을 재활성화하기 위해 tRP(Row Precharge Time) 시간, 행 사전 충전 시간이 경과한다. 이는 동일한 행이 다시 접근 가능해기 전까지의 주기 횟수를 나타낸다. 

실제 경과 시간은 메모리 모듈의 주파수를 통해 계산할 수 있다. 주파수가 4000MHz이고 지연 시간이 CL17-17-17-37인 DDR4 RAM 모듈을 예로 들어 보자. 먼저, 유효 클럭 주파수의 역수를 계산한다. 즉, 1을 4000MHz로 나눈 값이다. 이 값에 2를 곱하고(DDR, Double Data Rate, 이중 데이터 전송률이므로 2배) 이전 클럭 주기 수, 즉, CAS 지연시간 17을 곱한다. 그 결과 얻어지는 실제 지연 시간은 0.0085마이크로초, 즉, 8.5나노초다. 반면, tRP 값은 18.5 나노초다.