삼성전자가 AI 시대 확장을 대비한 DRAM 전략을 공개했다.

삼성전자는 자사의 블로그를 통해 AI 시대에는 대용량 고속 데이터 처리의 중요성이 대두되면서 이를 뒷받침할 메모리 기술의 발전과 성능 향상이 중요하다며, 이러한 업계 선도를 위한 메모리 전략을 정리해 알렸다.

이중 눈에 띄는 것 중 하나는 HBM(High Bandwidth Memory) 관련 내용으로, 9.8Gbps 속도의 HBM3E 메모리를 고객사에 샘플 공급할 예정이라는 내용과 함께, 차세대 HBM 메모리인 HBM4 제품을 2025년 목표로 개발 중이란 소식도 전했다.

또한 고속 메모리의 특성상 피할 수 없는 발열 대비를 위해 고온에 최적화된 NCF(Non-conductive Film, 비전도성접착필름) 조립 기술과 HCB(Hybrid Copper Bonding, 하이브리드 본딩) 기술도 준비 중임을 알렸다.