삼성은 메모리 테크 데이 2023에서 HBM3E, GDDR7, LPDDR5x CAMM2 등을 포함한 차세대 메모리 기술을 공식적으로 소개했습니다.

삼성은 이미 차세대 AI, 게이밍, 데이터센터 애플리케이션을 위한 코드명 '샤인 볼트(Shine Bolt)'로 불리는 삼성 HBM3E 메모리와 GDDR7에 대한 개발 소식을 전한 바 있습니다. 이 두 가지가 메모리 테크 데이 2023의 가장 큰 하이라이트라고 볼 수 있지만, 삼성은 더 많은 것을 준비하고 있습니다.

삼성은 메모리 테크 데이 2023에서 HBM3E, GDDR7, LPDDR5x CAMM2 등을 포함한 차세대 메모리 기술을 공식적으로 소개했습니다.

AI 및 데이터센터를 위한 삼성 HBM3E "샤인볼트" 메모리

삼성은 2016년 업계 최초로 HBM2를 상용화하고 고성능 컴퓨팅(HPC)용 HBM 시장을 개척한 전문성을 바탕으로 오늘 차세대 HBM3E D램인 '샤인볼트(Shinebolt)'를 공개했습니다. 삼성의 샤인볼트는 차세대 AI 애플리케이션을 구동하여 총소유비용(TCO)을 개선하고 데이터 센터에서 AI 모델 학습 및 추론 속도를 높입니다.

HBM3E는 핀당 초당 9.8기가비트(Gbps)의 놀라운 속도를 자랑하며, 이는 초당 1.2테라바이트(TBps) 이상의 전송 속도를 달성할 수 있음을 의미합니다. 더 높은 층의 스택을 구현하고 열 특성을 개선하기 위해 삼성은 비전도성 필름(NCF) 기술을 최적화하여 칩 층 사이의 간격을 없애고 열 전도성을 극대화했습니다. 삼성의 8H 및 12H HBM3 제품은 현재 양산 중이며, 샤인볼트용 샘플이 고객에게 배송되고 있습니다.

또한 종합 반도체 솔루션 제공업체로서의 강점을 바탕으로 차세대 HBM, 첨단 패키징 기술, 파운드리 제품을 결합한 맞춤형 턴키 서비스도 제공할 계획입니다.