삼성전자가 게이트올어라운드(GAA) 기술 초격차에 나선다. 2027년 양산 예정인 1.4nm 공정부터 나노시트를 4개로 늘린다는 계획이다.

정기태 삼성전자 파운드리사업부 부사장은 25일 서울 강남구 코엑스에서 열린 '반도체 산·학·연 교류 워크샵'에서 "1.4nm 공정에서는 나노시트를 4개로 늘린다"며 "1.4nm 공정은 2027년 양산을 목표하고 있다"고 말했다.

GAA는 전류가 흐르는 채널 4개면을 게이트가 둘러싸는 형태의 트랜지스터 구조다. 채널 3개면을 감싸는 기존 핀펫(FinFET) 구조 대비 데이터 처리 속도와 전력 효율을 높인 기술이다. 삼성전자는 지난해 상반기부터 GAA를 적용한 3nm 공정 양산을 진행 중이다. 경쟁사인 TSMC와 인텔은 2nm 공정부터 GAA를 적용할 계획이다.

나노시트는 GAA 공정의 채널을 의미한다. 삼성전자는 채널을 얇고 넓은 모양의 나노시트 형태로 구현해 GAA 공정에 적용 중이다. 현재 양산 중인 삼성전자 3nm 공정에서는 나노시트를 3개 사용하고 있다.