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미니기기 / 음향 게시판 *스마트폰과 PC, 카메라, 스피커 등 IT 미니기기와 음향기기에 관해 교류하는 게시판입니다.

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미니 잡담: TSMC N2, 트랜지스터 밀도 210MTr/mm^2

N3B : 183 MTr/mm^2 (A17 Pro)

N3E : 170 MTr/mm^2

N2 : 210 MTr/mm^2

 

원출처 (웨이보 링크)

https://weibo.com/5821279480/NrV33FGsg#comment

 

https://twitter.com/faridofanani96/status/1722879809028780239

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댓글
5
1등 바보중
2023.11.10. 16:39

원래 n3 시리즈들도 200 넘지 않았나요? 이젠 이론상 밀도말고 칩 기준으로 발표하나

[바보중]님의 댓글을 신고합니다. 취소 신고
Section31
글쓴이
Section31 바보중 님께
2023.11.10. 16:41

N3B는 이론상 197 MTr/mm^2였지만 실제품(A17 Pro)은 183 MTr/mm^2 였죠...

[Section31]님의 댓글을 신고합니다. 취소 신고
바보중 Section31 님께
2023.11.10. 16:46

아마 더 높았을걸요.... 원래 로직밀도랑 칩 밀도는 별도지만요

[바보중]님의 댓글을 신고합니다. 취소 신고
Section31
글쓴이
Section31 바보중 님께
2023.11.10. 16:57

N3E는 로직 밀도는 N5 대비 최대 1.6배, 칩 밀도는 N5 대비 최대 1.3배라고 합니다 (올해 TSMC 발표 기준).

[Section31]님의 댓글을 신고합니다. 취소 신고
바보중 Section31 님께
2023.11.10. 17:00

네. 그래서 원래는 200이 넘어야했지만 칩 밀도는 그보다 한참 아래인 180대가 나왔죠.

그게 다 sram cell 면적을 거의 못줄여서 그렇지만요

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