최근 논의되고 있는 차세대 패터닝 기술 중 상용화 가능성이 가장 높은 것은 ASML의 하이 NA 극자외선(EUV)이다. AMSL뿐 아니라 다양한 소재, 부품 회사에서 하이 NA EUV용 기술들을 개발하고 있다. 하이 NA EUV에서 적용될 것으로 주목받고 있는 기술들은 건식 레지스트, 곡선 형태의 패턴이 들어간 포토마스크 등이 있다. 

하이 NA EUV 장비는 미세 회로를 그리기 위해 기존 EUV 장비 대비 렌즈 개구수(NA·Numerical Aperture)를 0.33에서 0.55로 늘렸다. 노광 장비의 경우 NA 값을 늘리거나 파장을 짧게 만들 수록 더욱 미세한 패터닝이 가능하다.

미세 패터닝 구현을 위해서는 소재와 부품에서의 혁신도 필요하다. 가장 활발히 연구가 진행되고 있는 분야는 포토레지스트(PR)다. 포토레지스트는 빛에 반응해 화학적 변화를 일으키는 감광액의 일종이다. 반도체 노광 공정은 먼저 PR을 웨이퍼에 도포한 뒤, 포토마스크를 장착한 노광 장비를 통해 패턴을 만드는 방식으로 진행된다.