미니 Micron, 24GB 8H HBM3E 양산
- 좌지우건
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- 2024.02.27. 02:11
1β DRAM 기반의 구성으로
엔비디아 H200 타겟으로 공식 양산소식을 발표했습니다.
해당제품은 하기와 같은 특성을 가진다고 합니다.
Superior Performance: With pin speed greater than 9.2 gigabits per second (Gb/s), Micron’s HBM3E delivers more than 1.2 terabytes per second (TB/s) of memory bandwidth, enabling lightning-fast data access for AI accelerators, supercomputers, and data centers.
Exceptional Efficiency: Micron’s HBM3E leads the industry with ~30% lower power consumption compared to competitive offerings. To support increasing demand and usage of AI, HBM3E offers maximum throughput with the lowest levels of power consumption to improve important data center operational expense metrics.
Seamless Scalability: With 24 GB of capacity today, Micron’s HBM3E allows data centers to seamlessly scale their AI applications. Whether for training massive neural networks or accelerating inferencing tasks, Micron’s solution provides the necessary memory bandwidth.
추가로 36GB 12-High HBM3E은 3월부터 샘플 공급을 할 에ㅔ정이라고 합니다.
레거시 생산능력이야 당장은 삼전이 앞서지만
차세대 공정개발 1c상황도 암울하다하고
EUV 미리 적용해서 매를 먼저 맞았다고 생각했는데 하닉이 4레이어 적용한 1b수율을 삼전보다 훨씬 잘 잡아 버리면서 하닉이 잘하거나 삼전 펀더멘탈이 약화된거라 생각했습니다.
삼전은 HBM3E 퀄도 못 받은 상태에서 마이크론이 젤 양산 빨리하는거 보니 하닉이 잘하는게 아니라 삼전이 넘사 못하는거로밖에 안보여집니다...
기술의 우위가 없고 앞서는건 생산장비 숫자와 클린룸 면적뿐인 반도체회사의 미래가 어찌 밝을 수 있겠습니까
EUV 장비의 수도 그렇고 그 양적 우위가 기술적으로 역전할 수 있는 기반이 되니까 그렇죠. 물론 지금 삼성의 미래를 마냥 밝게 보긴 어렵지만, 그렇다고 삼성이 디램 시장에서 3위가 되는건 더더욱 가능성이 낮다고 생각합니다.
그리고 HBM도 단기적으로 경쟁사랑 일정이 얼마냐 차이나냐보단, 자기네가 예전에 발표한 장기적인 일정을 따라가고 있느냐 못하고 있느냐가 중요하다고 생각합니다. 그런데 아직까지 삼성 쪽은 큰 지연 없이 계속 따라가고 있기에 긍정적으로 보는거죠.
예전에 발표한대로면 아직까진 타사보다 늦어지는게 정상이고, HBM4 이후부터야 일정을 따라잡고 추월한다고 했었죠. 타사보다 빠르더라도 자기네 계획보다 느리면 문제가 있는거고, 지금처럼 타사보다 느려도 계획대로 진행중이면 문제가 있다고 보기 어려운거죠.
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메모리는 1강 2중 체제에서 2강 1약 체제로 개편되는군요. D램도 충분히 우상향하는 시장인데 만족못하고 파운드리 달려든게 패착이네요...