- 삼성전자가 메모리 솔루션의 미래를 혁신할 획기적인 기술을 선보이며 3D DRAM 시장 진출을 발표했습니다.

- 삼성의 3D DRAM 구현은 재정적 제약과 낮은 소비자 수요로 인해 침체에 직면한 현재 DRAM 산업의 과제를 해결하는 것을 목표로 합니다. 삼성은 수직 채널 트랜지스터와 적층형 DRAM을 도입함으로써 DRAM 혁신의 교착 상태를 깨고자 합니다.

- 수직 채널 트랜지스터는 소자 면적 점유를 줄이고 성능을 향상시키는 독특한 부품 배치를 포함하며, 적층형 DRAM은 면적당 저장 용량을 높여 향후 칩 용량을 100GB까지 늘릴 수 있는 잠재력을 가지고 있습니다.

- 2028년까지 시장이 1,000억 달러 규모로 성장할 것으로 예상되는 3D DRAM 업계서, 삼성은 시장에 일찍 진출함으로써 잠재적인 리더로 자리매김하고 있습니다.