○난야 진싱공장 팀장 출신, D램 기술 중국 유출 시도···1년 10개월 징역형 선고

- 대만 D램 업체 난야 진싱(錦興)공장 팀장 출신인 리(李)모 씨가 ‘영업기밀법위반’으로 1년 10개월 징역형을 선고받았음.

- 검찰 조사에 따르면, 리모 씨는 2016년 6월 난야에 입사해 2016년 진싱(錦興)공장 팀장을 맡은 이후 150만대만달러가 넘는 연봉을 받았지만 몸값을 더 높이기 위해 중국 반도체 설계업체 쯔광궈신(紫光國芯)으로의 이직을 시도했음.

- 2016년 11월 21일 쯔광궈신 신주 사무소에서 면접을 보며 자신의 전문지식을 보강해야겠다는 생각이 든 그는 휴일에 아무도 없는 사무실에 나가 당시 난야가 마이크론에서 도입한 20나노 D램 공정 기술 생산라인 연수 커리큘럼 파일을 열람했고, 파일의 다운로드와 인쇄가 불가능하자 화면 캡쳐본을 출력해 열심히 공부함.