BSPDN(Backside Power Delivery Network)은 차세대 반도체 공정에서 채택되고 있는 기술인데 풀네임에서 알 수 있듯 전원 배선을 Wafer 뒷면을 통해 연결(보통 추가 Wafer를 소모해서 붙임)하는 기술입니다.

전원배선이 Wafer 뒷면으로 가는 만큼 Wafer 앞면에서 배선라인이 줄고 이를 통해 면적 개선이 가능하며 RC딜레이 개선을 통한 성능향상도 가능합니다.

다만 BSPDN을 구현할 수 있는 방법도 여러가지며, 그에 따라 공정의 난이도와 개선폭이 달라집니다.

최근 TSMC의 발표로 BSPDN의 구현방법이 공개된 회사(연구기관 포함)는 3곳이 되었습니다.

IMEC

Intel

TSMC

Applied Materials에서 BSPDN 종류를 잘 정리한 자료가 있는데...

결국 전원을 공급하는 패스를 어떻게 구현하느냐에 따른 문제며, 보다 Source와 Drain단에 직접적인 전원 공급에 가까워 질 수록 개선 폭은 크며, 공정은 어려워집니다.

그럼 각 업체의 채택 기술을 보면...

IMEC : Buried Power Rail 이용

Intel : Power Via 이용

TSMC : Contact to SD

이제 남은건.... 삼성인가요?