SK하이닉스가 7세대 고대역폭메모리(HBM)를 2026년 양산하겠다는 목표를 내놨다. HBM4E는 10nm급 6세대(1c) D램이 첫 적용되는 제품이다. 당초 2027년 이후 양산을 목표했으나, 엔비디아 등 주요 고객사의 요청으로 앞당긴 것으로 보인다. SK하이닉스의 개발 로드맵 변경으로, 삼성전자, 마이크론 등 주요 경쟁사의 차세대 HBM 개발 및 양산 시점도 빨라질 것으로 예상된다.김귀욱 SK하이닉스 TL은 13일 서울 광진구 그랜드 워커힐 서울에서 개최된 국제 메모리 워크(IMW) 2024에서 “HBM은 그동안 2년 주기로 제


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