영국 맨체스터대와 호주 멜버른대 연구팀이 초순도 실리콘을 이용한 양자비트 제조 방법을 고안해냈다고 22일(현지시간) 일본 IT미디어가 전했다.

두 연구팀은 '국부적으로 집중된 이온 빔 주입을 통해 28Si가 강화된 실리콘'(Highly 28Si enriched silicon by localised focused ion beam implantation)이라는 제목의 논문을 발표해 이를 설명했다.

연구팀은 실리콘 칩 내 실리콘29(규소 동위 원소의 일종)의 존재가 양자 일관성을 방해하는 주요 원인으로 보고, 이 함량을 크게 줄여 문제를 해결했다고 한다.