D램의 미세화가 지속됨에 따라 SK하이닉스, 삼성전자 등 기업들이 신규 소재 개발 및 적용에 힘쓰고 있다. 특히 차세대 포토레지스트(PR) 중 하나인 금속산화물레지스트(MOR)에 대한 관심이 높다. SK하이닉스는 차세대 D램 양산에 극자외선(EUV)용 MOR을 채택하며, 삼성전자도 EUV용 MOR 적용을 검토 중이다. D램 양산에 MOR이 쓰이는 것은 이번이 처음이다.

29일 업계에 따르면 SK하이닉스가 10nm 6세대(1c) D램 양산에 인프리아 MOR을 사용한다. 인프리아 MOR은 1c D램 노광 공정 중 가장 미세한 선폭을 요하는 곳에 쓰일 것으로 보인다.