삼성전자가 16단 이상 고대역폭메모리(HBM) 양산에 하이브리드 본딩 기술이 꼭 필요하다는 입장을 견지했다. 16단까지 어드밴스드 매스리플로우-몰디드언더필(MR-MUF)를 적용하겠다는 SK하이닉스와 상반되는 로드맵이다.

7일 업계에 따르면 삼성전자는 지난달 말 미국 콜로라도주 덴버에서 개최된 제74회 전자부품기술학회(ECTC)에서 ‘HBM 적층을 위한 D2W 하이브리드 구리(Cu) 본딩 기술 연구’ 논문을 발표했다.

삼성전자는 논문에서 “16단 이상 HBM에는 하이브리드 본딩 기술이 필수적”이라고 강조했다.

하이브리드 본딩은 차세대 패키지 기술 중 하나다. 실리콘관통전극(TSV)이 형성된 칩을 수직으로 쎃을 때 범프 없이 다이렉트로 붙이는 컨셉이다. 업계에선 다이렉트 본딩이라고(...)