삼성전자와 SK하이닉스가 메모리 셀과 페리페럴(Peripheral)를 각각 다른 웨이퍼로 만든 뒤 붙이는 방식으로 '3D D램'을 만든다. 웨이퍼 적층에는 하이브리드 본딩 기술이 적용된다.기존 D램은 페리페럴(Peripheral)과 메모리 셀을 하나의 웨이퍼에 만들어졌다.18일 업계에 따르면 SK하이닉스는 국제 메모리 워크숍(IMW) 2024에서 3D D램 양산에 웨이퍼 본딩을 적용할 것이라고 밝혔다. 웨이퍼 본딩은 하이브리드 본딩으로 알려진 차세대 패키지 기술이다. 실리콘관통전극(TSV)이 형성된 칩을 수직으로 쌓고


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