메모리 반도체 기업들이 차세대 개발에 나선 이유는 D램의 미세화 한계 때문이다. 기존 D램 개발은 회로 선폭을 줄여 트랜지스터 집적도를 높이는 방식으로 진행돼 왔다. 하지만, 최근 회로 선폭이 10nm 이하로 줄어들면서 커패시터 전력 노출 등 물리적 한계에 직면한 상황이다.

3D D램은 D램을 가로로 눕힌 뒤 수직으로 적층하는 컨셉의 메모리 반도체다. 기존 D램이 하나의 평면에 트랜지스터를 집적하는 구조였다면, 3D D램은 n개의 층에 트랜지스터를 쌓는다. 따라서 트랜지스터 분산이 가능하다. 이러한 구조를 채택하면 트랜지스터 간 간격이 넓어져 누설 전류와 간섭 등을 줄일 수 있다.

이러한 장점이 있지만, 개발을 위해서는 다양한 노력이 필요하다. 기존의 D램과는 다른 3D 형태의 구조이기 때문에 전방위적인 소재, 장비 개발이 필요한 상황이다. SK하이닉스는 3D D램용 차세대 채널 소재로 IGZO를 제시했다. IGZO는 인듐(In)·갈륨(Ga)·산화아연(ZnO)으로 구성된 금속 산화물 소재다. 

https://www.thelec.kr/news/articleView.html?idxno=21800

[IEIE 2023] SK하이닉스, HBM4부터 로직다이 파운드리 통해 생산한다

SK하이닉스와 삼성전자 등 주요 메모리반도체 기업들이 고대역폭메모리(HBM)4부터 로직다이 파운드리 생산을 준비한다. 로직다이에는 CPU나 GPU 등에 탑재되던 메모리컨트롤러 기능 등을 추가 탑재해 시스템 효율화를 노린다. 

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박명재 부사장은 "메모리 반도체 업계에서 HBM4 로직다이를 파운드리에서 생산하는 방안을 준비하고 있다"며 "최선단 로직 공정을 이용하면 파워 절감뿐 아니라 다양한 기능을 탑재할 수 있을 것으로 기대하고 있다"고 밝혔다.