삼성전자는 내년 양산 예정인 2nm 공정에 적용하기 위한 3세대 ‘게이트 올어라운드’(GAA) 기술을 개발 중입니다.

이 기술은 반도체 내 전류 흐름을 조절하고 증폭하거나 차단하는 차세대 트랜지스터 기술로, 전력 효율을 향상시키기 위해 트랜지스터 아키텍처를 재설계합니다.

현재 이 기술을 양산하는 회사는 삼성전자가 유일하며, 삼성은 2000년대 초반부터 GAA 기술 연구를 시작해 2022년 3nm 공정 양산에 가장 먼저 적용했습니다.

삼성전자는 올해 안에 2세대 3nm(삼성 명칭 2nm) 양산을 시작하고, GAA 기술 주도권 확보를 위해 2nm 공정의 3세대 GAA 도입도 추진하고 있습니다.