23일 업계에 따르면 SK하이닉스는 지난 16일부터 20일까지 미국 하와이에서 열린 권위 있는 반도체 학회 'VLSI 2024'에서 3D D램 관련 연구 논문을 발표했습니다.

SK하이닉스는 이 논문에서 5단으로 적층한 3D D램의 제조 수율이 56.1%를 기록했다고 밝혔습니다. 이는 하나의 테스트 웨이퍼에서 제조된 약 1,000개의 3D D램 중 약 561개의 실사용 가능한 소자를 생산했다는 의미입니다.

실험용 3D D램은 현재 사용되고 있는 2D D램과 유사한 특성을 보였는데요, 이 역시 발표 자료에서 확인할 수 있었습니다. SK하이닉스가 3D D램 개발의 구체적인 수치와 동작 특성을 공개한 것은 이번이 처음입니다.