2nm 이후부터는 1.8nm 이렇게 표기하지않을까 생각이드네요 ㅎㅎ

실리콘으로는 2나노정도가 한계인듯하던데..tsmc나 리사수 언급으로 봐서는 그다음 신소재후보로는 탄소나노튜브가 유력하던데말이죠..뭐 이론상 cnt가 실리콘보다 전자이동성이 10배빠른...

tmsc로드맵상 1.2nm부터 cnt....이때부터 둔화되었던 무어의법칙이 다시 폭발적으로 상승할것이라 예상중..

MBCFET으로 핀펫급 연명을 할거 같긴합니다.

소재도 소재인데 그 전에 EUV가 아직 개량의 필요성이나 여지가 많아서 이론 한계치 찍으려면 아직 갈 길이 멀거든요.

먼 훗날의 일이겠지만 노드가 nm 밑으로 떨어지면 Å 단위로 부를지도 모르겠네요.

1㎛ 밑으로 내려가니까 그 때부터 수백nm로 부르기 시작했던거처럼요.

제가 알기로는 신소재적용과 euv를 개량하여 미세화를 진행하는게 동시에 적용될거라고 알고있습니다..

옹스트롬은 화학쪽 전공 아니면 익숙치 않은 단위라

pm으로 하지 않을까요

반도체 제조 업계에서는 nm보다 옹스트롬이 더 익숙합니다.

데이터 분석 단위도 %에서 ppm으로 넘어가는 추세고요.

TSMC쪽은 꾸준히 3나노는 FinFET이다란 이야기가 있었죠 ㅎㅎ

삼성 입장에선 한판 뒤집기 할수있는 기회인지라

이 기회를 잘 이용해야 할듯하네요