아직 3나노 세부 스펙고 안밝혀졌고

저 수치들 추정치라죠;;;;

심지어 TSMC 3나노는 하프노드인데....

그래서 나온게 인텔의 14nm+ 시리즈죠

회사마다 나노미터 측정하고 공정 이름 붙이는 게 좀 다릅니다.

그래서 인텔 10nm가 타회사 7nm 랑 비슷하고 그렇습니다..

그리고 인텔의 저 하이퍼스케일링 정책은 사실상

10나노 부터 이미 실패...

인텔 10나노는 TSMC 7나노보다 성능 구립니다.

와 gaa도 아닌데 밀도를 316씩 때려 박으면 ㄷㄷ

삼고빔...   발열 전력소모 버틸 수 있으려나요

저거 tsmc 3나노 정보가 잘못된 것 같은데요;;

최근에 계획이 바뀌지 않았다는 가정 하에 밀도향상률 가지고 계산해보면 도저히 삼성이랑 tsmc 격차가 저렇게 벌어질 수가 없을텐데...

인텔 10나노도 나오면 타팹 7나노 다 바른다고 했는데 아직 데스크탑 프로세서도 못 찍어서 14nm로 백포팅 하는 수준입니다

7나노 아래부터는 누설전류라던가 간섭이라던가 여러모로 난감해지기 시작합니다

저정도 미세 공정으로 내려가면 이제 고전물리가 아니라 양자역학의 영역으로 떨어지기 때문에 단순하게 밀도가 높으니 성능이 더 좋다 이게 어려워집니다. 분명 하나의 셀에 전자를 저장하여 기록하였는데 이 전자가 양자터널현상으로 인해 닫힌 셀에 갇혀 있는 상태임에도 불구하고 그냥 뚫고나와 버리죠. 이런 현상이 공정이 미세화 될수록 심해지면서 누설전류로 나타나게 된다고 알고 있습니다. 그렇기 때문에 밀도가 높음에도 불구하고 오히려 성능이 떨어지는 경우가 발생하기도 하죠. 

흐음....

저거 그냥 한마디로 쌉사운드에요. 인텔이 한 동안 입털던건데 10나노 까고보니 7나노급은 무슨 ㅋㅋㅋㅋ 걍 고밀도 10나놉니다. 하물며 7나노가 3나노 급일까요.

tsmc 예상치 아직도 바꾸질 않았나보네요. 이미 5나노부터 상당부분 빠그라진 거 같은데