3gap가 5lpe보다 엄청나게 좋다고 하더라도 이미 5lpe보다 tsmc n5가 어마어마하게 낫기 때문에 실질적으로 n3에 비해서 엄청난 차이가 나진 않을 거고, 삼성 3gap에서 좋은 모습을 보여줘도 고작해야 그 다음 노드(2gae?)에서야 주문이 늘어날 걸 기대할 수 있겠죠. 

https://meeco.kr/index.php?_filter=search&mid=mini&search_target=title_content&search_keyword=PPA&document_srl=32708119

일단 신규 로드맵에서 발표한대로라면 4LPE 공정 성능이

TSMC N5P랑 N4 사이정도 성능이긴합니다....

3GAA는 뭐가 됬든 더 낫겠죠.

물론 그 발표 PPA중 성능이랑 소비전력을 발표만큼 지키는것은 별개의 이야기지만요.

궁금한 것이 있는데 3GAA, 3GAP, 3GAE 여러가지가 있는데 이 3나노 시리즈가 모두 4나노 기반으로 개선하는 공정이 맞나요?

용어가 너무 비슷해서 헷갈리네요ㅠㅠ

아무튼 당분간 내년 4나노 공정이 정말 관건이겠네요

사실 어디까지 추측입니다.

삼성이 3GAE 발표하면서 이야기한게 4나노 공정에서 쉽게 마이그레이션이 가능하다고했거든요.

그리고 3GAE 처음 발표때 7LPP 대비 면적이 45% 개선된다라고했는데

이번 신규 로드맵에서 4LPE는 7LPP 대비 면적이 46% 개선입니다.

얼추 맞아떨어지고 4나노에서 마이그레이션된다는 발표때문에

"아 백엔드는 4나노 기반일수있겠구나" 라는 추측이 있는거죠.

백엔드만 동일하고 프론트엔드랑 미들엔드는 전혀 다르고

MBCFET(GAAFET)이 도입되는거라 7LPP 베이스의 5LPE랑은 성격이

많이 다릅니다.

감사합니다!

미코에서 보기로는 지금까지 공정이 어긋난 게 7나노가 어그러지면서 연쇄적으로 영 좋지 않았다고 말씀하셨고, 아마 그래서 삼성도 공정을 전환하려고 한 것 같은데, 이번 공정에 엑시까지 달라지는 것이 하나둘이 아닌데 부디 잘해줬으면 좋겠네요...