2개의 특징을 강조합니다.

먼저 소개 영상

https://youtu.be/t6Y41zdO3Pc

- RibbonFET

네 GAA로 알려진 반도체 구조로 FinFET보다 소자 특성이 좋다고 알려져 있습니다.

(삼성과 달리 TSMC처럼 2nm에서 첫 도입한다고하네요)

FinFET의 경우 채널(Fin) 갯수를 늘릴 경우 칩 면적이 커질 수 밖에 없지만

RibbonFET의 경우 채널(Ribbon) 갯수를 스택 형태로 쌓아

결론적으로 더 작은 면적에서 동일한 Drive Current를 얻을 수 있습니다.

또한 Ribbon의 폭을 조정하여 다양한 형태의 RibbonFET를 구현할 수 있다고 합니다.

- PowerVia

RibbonFET가 FEOL쪽 개선점이라면 PowerVia는 BEOL쪽 개선점으로 보입니다.

기존의 노드들은 FEOL 위의 BEOL 영역에서

Power를 공급 하는 배선과 실제 Tr 시그널을 전달하는 배선이 동시에 구성되었습니다.

PowerVia 는 이를 분리하여

Power를 공급 하는 배선을 FEOL영역 BackSide에 구성

Power를 공급 하는 배선과 실제 Tr 시그널을 전달하는 배선 따로 구성하는 기술입니다.

이를 통해 Tr 시그널을 전달하는 배선을 추가 배치 할 수 있으며

클럭 향상과 리키지 감소를 얻을 수 있다고합니다.

그리고 BackSide에 연결되는 Power를 공급 하는 배선의 경우

Tr과 Nano TSV로 연결되며 현재 상용화된 TSV대비 500배 작다고 합니다.

그리고 중요한건 고객이 확보된 것 같습니다.

The company is also excited about the opportunity to partner with Qualcomm using its Intel 20A process technology.

네 퀄컴이 해당 공정을 쓸 것 같네요.

삼성 GAA 장수 할 수 있을려나요? ㅠ