이번년도 안드로이드 플래그십 AP인

스냅드래곤 888과 엑시노스 2100에 독을 푼 

삼성 5LPE 공정은 현재 TSMC N5 공정 대비 약 11% 정도 전력효율이 밀리고 있는 상황인데요

제가 반도체 공정에 대해서 잘 아는게 아니라 그냥 가장 간단한 전력효율 숫자만 대충 계산해봤습니다

내년 엑시노스 2200은 4LPE 공정으로 생산된다고 하는데

자료 보니깐 로드맵 변경으로 5LPE -> 4LPE가 풀노드 공정으로 변경되어서

삼성 파운드리에서 4LPE 공정은 5LPE 공정대비 전력효율이 16% 향상이 된다고 합니다

16% 향상이면 현재 11% 정도 차이가 나는걸 매꾸고도 5%가 남죠

4LPE는 N5대비 약 5% 전력효율이 더 좋습니다

그런데 TSMC가 내년에 그냥 가만히 있는게 아니죠

N4 공정을 내놓는다고 하는데 풀노드가 아니라 하프노드라 큰 향상은 없을것으로 보입니다

전력 효율 향상도 대충 한자리수? 정도로 예상하고요

이렇게 되면 TSMC가 조금 앞선다고 한들 거의 차이가 없는 전력효율일걸로 예상됩니다

(그런데 N5 개선판인 N5P가 전력효율 15%향상으로 말해서 꽤나 유의미한 향상치가 있을수도 있습니다...)

그런데 이거는 삼성 파운드리에서 발표한 향상치를 그대로 적용한거라 공정이 나왔는데 향상치가 줄어들면 꽝입니다

몇 가지 상황을 가정해 볼 수 있겠네요

1. 삼성이 발표한 16% 전력효율 향상을 지킴, TSMC N4 공정의 전력효율 향상은 N5대비 한자리 수

이 경우 4LPE와 N4 공정의 전력효율은 오차범위내 동급이거나 TSMC가 앞선다고 해도 5% 미만으로 예상됩니다

2. 16% 전력효율 향상은 구라였음 ㅎㅎ

이 경우 대충 4LPE가 전력효율 향상이 16%말고 10%라고 절망적으로 설정하고 가정했을때

정말 최악의 경우 4LPE와 N4 공정간 전력효율이 지금 5LPE와 N5의 11% 차이처럼 심하게 벌어질수도

또는 N4 공정의 전력효율 향상치가 저조하다면 5LPE와 N5의 차이보다는 적지만 그래도 5% 이상 벌어질것으로 예상되고요

그런데 스냅은 4LPE도 아니고 5LPP? 공정이라고 하는데

4LPE조차 모든 희망회로를 쏟아부어도 TSMC대비 조금 밀릴 수 있는데

5LPP를 스냅이 사용한다면 거의 답이 없지 않을까 생각을 해봅니다

어찌되었든 정말 최악과 절망회로만 아니라면 지금 5LPE N5 격차만큼은 안날것으로 보입니다

삼파 화이팅 TM.Roh가 응원합니다

---- 내용 추가 ----

N5개선판인 N5P 전력효율 향상치가 N5대비 15%라고 하면 

삼성이 4LPE 전력효율 향상 16%를 완전히 지킨다고 한들 5LPE vs N5 같이 전력효율이 10%이상 밀려버리게 되는데

TSMC도 N7 -> N5에서 원래 전력효율 30% 향상을 얘기했지만 실제 공정이 나오니 21%로 줄어들어서

15%라는 수치를 완전히 믿으면 안되겠지만 삼성조차 16%라는 수치를 믿을수가 없는거죠

이렇게 되면 희망적인게 다시 좀 암울해지기는 하네요 복잡합니다 복잡해