출처 링크에 Technical Tipsheet 보면 나와 있는데

1. 고성능 라이브러리 기준으로 Intel 7 대비 밀도 2배, +20% Perf. @iso-power

2. gate pitch 50nm, fin pitch 30nm, minimum metal pitch 30nm, 16층 배선

3. 코발트 대신 저항 및 EM 특성이 개선된 구리 배선 사용.

짐 켈러 강연에서는 10나노 대비 밀도 3배(fin pitch 24nm) 언급도 나온 바 있는데 Intel 3에서 밀도 관련 언급이 있는 거 보면 하이퍼스케일링 요소를 어느 정도 포기하고 일단 양산에 집중하는 것 같네요... 차기 아톰 코어 4.5GHz 떡밥이 있던데 초기 10나노와 달리 클럭은 나름 잘 뽑힐 것 같아 보입니다

처음에 클립보드 이미지 복붙하려고 했는데 base64 인코딩으로 된 이미지를 첨부하면 사이트에서 인식을 잘 못하는 지 내용이 없다는 오류가 뜨네요