18일 반도체업계에 따르면 삼성전자 파운드리사업부는 올해 내내 수율 확보에 어려움을 겪었던 것으로 알려진 4㎚ 공정의 불량률을 바로잡고 칩 성능을 개선하기 위해 미국 실리콘프론트라인와 협업하기로 했다. 해당 공정은 올해 상반기에 진행된 삼성 내부감사(경영진단)의 대상이기도 했다.

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특히 삼성전자가 최신 공정이자 TSMC와의 경쟁 구도에서 유리한 지위를 점할 수 있는 3나노 공정이 아니라 이미 완패한 4나노 공정을 택했다는 것에 이목이 쏠린다. 일부 전문가들은 이에 대해 아직 4나노 공정에서 해결되지 못한 공정상의 결함이 3나노에서도 이어지고 있기 때문에 선단공정을 전반적으로 재정비하는 의미가 있다고 진단하고 있다.

반도체업계 관계자는 “삼성 파운드리는 이미 5나노 공정에서부터 불량률 문제를 겪고 있었으며 3나노로 가는 중단 단계격인 4나노에서도 비슷한 이슈로 퀄컴이 만족할만한 칩 성능 확보에 실패하고 있다”며 “시급하게 문제를 바로 잡지 않으면 차세대 공정인 3나노에서도 TSMC와의 경쟁이 어려워질 것”이라고 설명했다.

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