* VLSI2023 발표 내용 중 글쓴이의 개인적 취향으로 고른 삼성의 발표들입니다.

(다른 주제의 발표들도 있습니다.)

 

- MRAM

14nm FinFET 공정의 옵션으로 MRAM에서 하기와 같은 특성을 달성했다고 합니다.

18.1Mb/mm² @128Mb

150C에서 80MHz 읽기 속도 @ 0.64V

 

 

 

- 3nm

SF3(MBCFET 2세대) PPA (vs 4nm)

(재밌는점은 SF3E가 있는데도 불구하고 세계최초 GAA 3nm 파운드리 플랫폼 기술은 SF3라고 표현했네요.)

 

과거 파운드리포럼 발표와 동일

 

 

 

- BSPDN

BSPDN PPA 개선

성능 +3.6% (Fmax)

Area -14.8%

추가 표준셀 변형 시

성능 +1.6%

Area -2.4%

 

BSPDN 평가 내용

mTSV의 최적화 내용등을 포함

 

 

 

- 4nm

4nm HPC향 SRAM 개발

 

4nm 파생노드 SF4X 주요개선점

1) SD stress 공정 개선 및 T-DTCO 및 MOL 스킴

2) ULVT 제공, 고속 SRAM(바로 앞 내용인듯) 및 새로 개발된 MOL 방식으로 높은 Vdd 작동 보장

3) 개선된 SRAM 프로세스 마진과 함께 CPU Vmin 감소 -60mV / IDDQ -10% 변동 감소

4) 높은 Vdd 작동을 보장하기 위해 성능 저하 없이 Contact-Gate breakdown 전압이 1V 이상 향상

* 개선을 통해 얻은 PP Gain

전력 23% 감소

성능 10% 향상

 

 

 

- TOF 센서

VR/AR 타겟의 TOF 센서 개발

 

 

 

 

 

다른 회사는 여유되면 내일 올려볼게요 ㅠ