저는 삼성이 3nm에서는 제대로만 하면 이기겠다라고 판단을 했어요 근데 4,5 죽쑤는거 보고.. 아 이것도 예정대로 못가나 했는데 N3를 안쓴다고 할때.. 아.. 예내 꼬였다 생각이 들더라고요..

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그러나 생산량으로 일단 찍어누르겠다가 가능한게 무섭습니다

중요한건 SF3(GAP)와 N3E가 정확히 격돌하는 공정인걸 감안해야합니다 GAE랑 비교하는게 아니고요

3GAE 대비 3GAP가 PPA 측면에서 대략 10, 5, 20% 정도의 개선이 있을 것이라고 알려져 있는데, 이를 N3E와 대비시켜 보면 여전히 PP는 오차범위 내 동급 수준, A는 확실한 열세일 것으로 보이긴 합니다.

물론 아직 확실한 것은 없기에 실제 결과물을 보고 판단해야겠지만요 ㅎㅎ

최신 PDK기준 동일옵션에서 3GAE가 N3E 대비 딱히 A빼고 안밀릴걸요?

그리고 애초에

3GAE는 PPA가 문제가 아니라 공정 옵션이 문제라서요.......

3GAE가 N3E 대비 PP에서는 오차범위 내 비교열위 수준으로 비등비등할 수 있겠지만 A에서 워낙 큰 차이가 나다 보니 동급 공정이라고 말하기에는 어려움이 있긴 할 것 같습니다. N3E가 N3 대비 PP 두 가지에서 모두 우위에 있어도 A 하나가 밀려서 종합적으로는 N3E를 N3의 다운그레이드 공정이라고 말하는 것처럼요.

MBCFET 도입하면서 PP 측면에서는 획기적인 개선이 있었기에, Area 측면에서 발전이 더딘 게 더욱 아쉽게 다가오는 것 같습니다 ㅜ