EUV 전환 자체가 어렵고 그 과정에서 많은 원가 상승이든 수율하락등등이 필연적인데
성공했을때 파운드리 뿐 아니라 선단 디램공정에서도 생산성과 품질의 차이는 절대적입니다
현상태로 2020년대 안에 무조건 디램 3사가 EUV 전환을 해야한다는 게 확실한 상황에서
EUV 전환을 혼자만 미적대는게 훨씬 위험한 선택이라고 생각하네요..
지금이야 삼성이 EUV 신기할 정도로 헤메서 초격차많이 상실했지만
25년 이후 마이크론이 EUV 도입하면 삼성 했던 뻘짓 반만해도 꽤 볼만할껍니다
하이퍼스케일마냥 비현실적으로 앞서나가는 목표도 문제지만 뒤쳐지는건 더 문제입니다

EUV를 쓰는게 애초에 장기적으로 가면 성능과 원가경쟁력을 위해서죠.

멀티패터닝을 계속 해야하는데 그게 원가에 좋을리가 없잖아요?

특히나 갈수록 미세화되면서 생기는 누수전력에도요.

tsmc도 n7,n7p까지만 arfi를 쓴거지 n5부터 쓰는거봐요

메모리 삼사중 마이크론만 유독 미적거리는겁니다.

삼성은 1z시절에, 하이닉스는 1a시절에 euv를 적용했어요

향후 공정 미세화하려면 dram도 EUV 필수입니다.

dram 양산 수율은 기본 80% 중반 먹고 그 이상을 타겟으로 하기때문에 수율 경쟁이란건 있을 수 없고, 그래서 공정 미세화없이 싸게 만든다는건 망상입니다.

디램에 EUV가 앞으로도 필요없다고 하는게 아니고... 당장 눈앞에 어느회사가 디램공정에 EUV를 쓰네 마네 하는게 잘하고 있는지 아닌지에 대한 직접적인 지표가 아니란 얘깁니다. 

그 순간에 마이크론이 EUV를 안했다고 해서 삼성한테 도저히 못 따라잡힐만큼 밀린 것도 아니고 반대도 아니란 거고요.

공정 미세화 얘기도 꺼내셨는데 역시 디램이나 플래시에서 게이트 길이 50나노 30나노 이하로 줄인다고 당장 엄청나게 가격이 내려가는 것도 아니고요. 

만약 EUV 없이 JEDEC든 PCI-SIG든 특정 세대 규격에만 잘 맞춰서 내놨다면 마이크론이 단기적으론 훨씬 합리적인 선택을 했다고 보는 거죠.

디램/플래시 사업을 파운드리처럼 보면 안 된다는건 애초에 디램/플래시 작업 방식 자체가 파운드리하고 완전히 다르고 회로 복잡도나 요구되는 속도/레이턴시 면에서 아예 개념이 다르기 때문에 그런거지 반도체 기술발전을 디램플래시는 멈춰도 된단 얘기가 아닙니다. 

어차피 외부인 입장에서 보면 나오는건 보도자료랑 언론밖에 없으니 삼성이 10나노대에서 12나노까지 쓰고 마이크론이 몇나노까지 쓰고 하는 요소가 파운드리의 나노수 경쟁과 대비돼서 같은 맥락으로 생각될 수 있지만 실제로 디램/플래시와 파운드리는 굴러가는 철학이나 경영방침도 다르고 목적도 다른데 같은선상에서 봐서는 안된다는 얘기입니다.

사실 이게 당장 빨리 빨리 하는게 지금 당장의 "눈에 보이는" 격차도 줄이고 참 좋아보이지만
남들 차근 차근 1레이어로 시작한걸 한번에 5레이어로 넘어간다는 대담한 전략이 통할꺼냐는게 문제인거죠
그리고 마이크론 선단 공정 비중도 높고 양산시점도 빠른데 정작 나오는 가장 중요한 수치인
영익률 보면 비상식적인 결과가 나오죠 D램에서 선단 공정=원가절감 인게 정상인데
내부적으로 마스크 수도 삼성 보다 많다고 하던데 이렇듯 외부에 보이지 않는 격차도 존재하는데 
그중 가장 중요한 제조 노하우를 안쌓고 바로 시행착오 없이 간다? 저는 회의적입니다...

차후 세대 규격 자체를 euv없이 따라갈수가 있을까 싶은데요? 

마이크론 지들조차 1µ에선 euv적용한다고 했다가 취소한다는 루머가 나오는걸 보면

필요없어서 가 아니라 재정압박 문제 같은데요;;;;

저도 삼성과 하이닉스 둘이 과점하는 모습을 보고싶으면서도

한편으론 그럼 아주 똥배짱 장사를 할거같아서 계속 치고박고 싸웠음 하기도 하고....

복잡하네요 ㅋㅋㅋㅋㅋ