정은승 삼성전자 파운드리사업부장(사장)이 3일 미국 샌프란시스코에서 열린 국제반도체소자학회(IEDM:International Electronic Devices Meeting)에서 기조연설을 했다.정 사장은 이날 연설에서 게이트올어라운드(GAA:Gate-All-Around) 트랜지스터 구조를 적용한 3나노 공정 연구 성과를 공개했다. 3나노 공정ㅇ에 대한 성능 검증을 마치고 기술 완성도를 높여나가고 있다는 것이 정 사장 설명이다.GAA는 전류가 흐르는 게이트 통로를 기존 각형 핀펫 구조에서 모든 면에 두는 것이 핵심이다. 핀펫은 3개


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