중국 반도체 업체 푸젠진화가 D램 메모리 개발에 재착수한 징후가 포착됐다. 이 회사는 그동안 미-중 무역분쟁 영향으로 D램 사업을 포기한 것으로 알려졌다. 그러나 최근 메모리 연구개발(R&D) 인력 채용에 나섰고, 기술 컨설팅 업체와도 계약한 것으로 파악됐다. 최근 양쯔메모리가 128단 적층형 낸드플래시 개발에 성공했다고 밝히는 등 반도체 기술 자립을 향한 중국의 움직임이 심상치 않은 것으로 분석되고 있다.

10일 업계에 따르면 푸젠진화는 최근 구인 공고를 통해 D램 R&D 경력직 채용에 나섰다. 푸젠진화는 공고에서 차세대 D램 제품 R&D 및 수율 최적화를 연구할 직원을 찾고 있다면서 '동일 직군에서 3년 이상 경험이 있는 인력을 우대한다'고 밝혔다.

푸젠진화는 또 최근 반도체 기술 전문업체와 컨설팅 계약을 맺은 것으로 알려졌다. 컨설팅 업체는 메모리 양산 설비 구축과 수율 향상 관련 전문지식을 갖춘 곳이어서 푸젠진화가 메모리 양산을 준비하고 있는 것 아니냐는 추측을 낳고 있다.

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