▲TSMC ▲삼성전자 ▲인텔이 트랜지스터 구조 기술에 접근하는 방식은 다소 차이가 있다. TSMC는 5나노 공정에 핀펫 공정과 GAA 공정을 병행해서 도입한다. 처음에는 기존에 지속해서 사용해 오던 핀펫 공정을 통해 5나노 반도체를 생산하고, GAA 공정 기술을 개발하면서 점차 GAA로 바꿔 나가는 형식이다. 이는 기존의 7나노 이하 공정을 진행할 때에도 동일했다. 이와 달리 삼성전자는 처음부터 GAA 공정 기술을 개발한 후, 이를 5나노 이하 공정에 도입하는 방법을 채택하고 있다.

인텔은 새로운 아키텍처 리본펫(RibbonFET) 공정을 도입할 계획이다. 리본펫은 게이트가 채널을 감싸는 형태의 트랜지스터 구조로, 타사의 GAA 공정과 유사하다. 다만 인텔은 리본펫 아키텍처를 2나노미터 단위의 ‘20A’ 공정부터 도입할 계획이다.

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