○삼성전자, 3나노 GAA로 TSMC 추월 기대- 삼성전자가 30일부터 게이트 올 어라운드(GAA) 공정을 적용한 세계 첫 3나노를 양산하며 이로써 세계 1위 TSMC를 따라잡을 기반을 마련했다고 한국 매체 가 보도했음. - GAA는 웨이퍼 부피를 줄여 기존 핀펫 기술보다 전력 효율을 높을 수 있는 차세대 기술이고, TSMC와 인텔은 각각 올 하반기와 내년 하반기 3나노 양산을 시작할 예정.

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