삼성전자는 업계 최선단인 12나노미터(nm)급 16Gb DDR5 D램 양산을 시작했다고 18일 밝혔다.

삼성전자 12nm급 D램은 이전 세대 제품 대비 생산성이 20%, 소비 전력이 23% 가량 개선됐다. 소비 전력 개선으로 데이터센터 등 운영에서 전력 운영 효율을 높일 수 있다는 게 삼성전자 측 설명이다. 

삼성전자는 반도체 공정 미세화에 따른 누설 전류를 막기 위해 유전율(K)이 높은 신소재를 적용해 커패시터 용량을 늘렸다. 동작 전류 감소 기술과 데이터를 더 확실하게 구분할 수 있는 노이즈 저감 기술 등도 적용했다.

삼성전자의 DDR5 규격의 12nm급 D램은 최고 동작 속도 7.2Gbps를 지원한다. 1초에 30GB 용량의 UHD 영화 2편을 처리할 수 있는 속도다.