삼성전자의 엔비디아 HBM(고대역폭메모리) 납품 테스트가 장기화하면서, 삼성전자가 5세대인 HBM3E 시장에 내년 이후에서야 진입할 수 있다는 전망이 나온다. 성능을 끌어올려 새롭게 테스트에 나서기 위한 설계를 변경하려면 수개월이 소요되기 때문이다.

26일 반도체 업계에 따르면 삼성전자가 HBM3E를 엔비디아에 공급하는 시점이 2025년 이후로 예상된다. 올해 안에 공급이 불가능할 수 있다는 얘기다.

삼성전자의 HBM은 발열과 전력 소비 등 성능이 엔비디아 납품 조건에 부합하지 않으면서 테스트 기간이 늘어진 것으로 전해진다. 특히 발열 문제는 HBM의 핵심기술로 불리는 TSV(실리콘관통전극) 설계를 바꿔야 한다. TSV는 메모리반도체인 D램 사이의 '데이터 엘레베이터'와 같다. 여러 개의 D램을 수직으로 쌓아올리는 HBM 특성 상 위아래 D램을 전기적으로 연결하는 TSV공정이 필수다.