삼성전자에 이어 SK하이닉스도 4F스퀘어 D램을 연구 중이라고 밝혔다. SK하이닉스는 4F스퀘어 구조의 구체적인 적용 시점에 대해 언급하진 않았지만, 10nm 이하 D램에서 적용될 것으로 예상된다. 

서재욱 SK하이닉스 담당은 12일 수원 컨벤션센터에서 열린 '차세대 리소그래피 + 패터닝' 학술대회에서 "1c D램 이후로 극자외선(EUV) 코스트가 급격하게 증가하는데, 이러한 방식으로 D램을 만드는 게 채산성이 있느냐는 고민을 해봐야 하는 시점"이라며 "1d부터 메모리 3사의 기술 로드맵 전략이 다 달랐는데, 최근에는 마이크론을 제외하곤 비슷해지고 있다"고 말했다. 이어 "(SK하이닉스도) 차세대 제품부터 버티컬게이트(VG)나 3D D램으로 전환하면 어떻겠냐는 고민을 하고 있다"고 말했다.