SK하이닉스가 2세대 10나노급(1y) 공정을 적용한 D램을 개발했다. 신기술 도입으로 기존 제품보다 생산성, 속도를 높이고 전력 소모는 줄였다.

SK하이닉스는 12일 2세대 10나노급 미세공정을 적용한 8기가비트(Gb) DDR4 D램을 개발했다고 밝혔다. 2세대 제품은 1세대 10나노급(1x) 대비 생산성이 약 20% 향상됐다. 전력 소비도 15% 이상 줄어 업계 최고 수준 전력 효율을 갖췄다. 데이터 전송 속도도 DDR4 규격이 지원하는 최고 속도인 3200Mbps까지 안정적으로 구현할 수 있다.

SK하이닉스는 데이터 전송 속도 향상을 위해 '4페이즈 클로킹(Phase Clocking)' 설계 기술을 적용했다. 이는 데이터 전송 시 주고 받는 클록 신호를 이전보다 두 배로 늘려 제품 작동 속도와 안정성을 향상시킨 기술이다. 이전에는 신호를 2등분했지만 이 기술은 4등분해 사용한다. 고속도로 톨게이트 요금 정산소를 늘려 차량 통행을 원활히 하는 것에 비유할 수 있다.

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양산은 아닌 것 같습니다.