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미니 삼성의 이번 3나노는 채굴칩에 어울리네요.
- 좌지우건
- 조회 수 1485
- 2022.06.30. 19:16
삼성 3나노로 채굴칩을 만든다는 소식은 많이 알려졌는데
http://it.chosun.com/m/svc/article.html?contid=2022062902522
이번 삼성 오피셜을 보면 그럴만 한게
삼성의 오피셜에 따르면
삼성전자 3나노 GAA 1세대 공정은 기존 5나노 핀펫 공정과 비교해 전력 45% 절감, 성능 23% 향상, 면적 16% 축소
한편 4나노 오피셜 정보는
https://meeco.kr/mini/32647120
- 3나노 1세대
5나노 대비
전력 45% 감소
성능 23% 증가
면적 16% 감소
- 4나노
5나노 대비
전력 16% 감소
성능 11% 증가
면적 24% 감소
3나노 1세대와 4나노를 비교해보면
면적감소분은 3나노에서 오히려 작고(3나노보다 작은 4나노???)
성능 증가와 전력 감소는 3나노에서 큽니다 특히 전력 감소가 매우 탁월합니다.
그리고 실제 3나노 1세대로 추정되는 웨이퍼 사진을 보면
https://m.betanews.net/article/1336425
12인치 웨이퍼 길이와
가로 세로 최대 칩 갯수를 고려해보면 대략적인 칩의 사이즈가 나오는데
여러 분석으로 알려진 플래그쉽 AP들의 칩크기 수준 대비 칩크기가 작습니다.
즉 칩크기는 작지만 (면적 감소분이 작아도 OK)
채굴하는데 전력 감소가 필수적인(전력 감소분이 큰 공정이면 Good)인 채굴칩에게
3나노 1세대 공정은 잘 어울리는 공정 같습니다.
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이게 3LPE인데 걍 3GAE로 퉁쳤다는 소문이 있더군요...