지금 대부분 CIS가 아직까지도

낡고 오래된 28나노를 쓰고있습니다.

 

이게 12~20MP 수준의 화소까지는 괜찬았지만

모바일 CIS들이 고화소로 가고있어서 28나노에서 온전히 성능을 내기에는 역부족입니다.

 

 

삼성파운드리가 작년에

17nm FinFET(아마 17LPV)를 발표했는데..

 

기존 28나노 대비

 

성능 39% 향상

소비전력 49% 개선

면적 43% 개선

 

으로 엄청난 환골탈태입니다.

 

해당 공정의 타겟 제품은 CIS, DDI 라고 못박았으니

17LPV로 제조된 CIS가 나올거란 소리입니다.

 

 

저게 적용되는 순간 CIS 성능은 정말 비약적으로 올라갈겁니다.

AP의 ISP가 중요한네, NPU가 중요하네 해도

CIS의 기본 성능도 정말 중요하거든요.

(특히나 3P3, HM1, GN3 같은 경우가 있으니;)

 

28나노 -> 17나노 핀팻으로 바뀌면

로직 성능이 비약적으로 상승하게되는데

이는 곧 화질과 처리 속도에 큰 영향을 줍니다.

 

 

고화소 CIS들 맨날 촬영 연사속도랑

셔터렉 아쉽네 아쉽네했던것들이 다 해결된다는 소리입니다.

 

단순 성능 향상만 39%고

개선된 소비전력 49% 만큼 성능 최적화를 더한다면

 

극단적으로 108MP가 현재보다 화질이 더 좋아지고

108MP에서 초당 30fps 제로셔터렉이 가능해지고

8K@60fps 촬영과 200MP 이상들은 16K@24fps 촬영도

가능해질겁니다.

 

 

저거 적용되는 시기가 고화소 CIS들의 황금기일것으로 전망합니다.

AP도 3나노 이상일테니....

 

 

일단 삼성파운드리의 경우 논EUV는 이미 레거시이고

잘해왔기 때문에 딱히 걱정은 안됩니다.

 

 

<정리>

- 28나노 -> 17나노 핀펫의 성능 향상이 끝내줌

- 고화소 CIS들 성능이 엄청 오를거임

- 로직 성능 향상으로 화질도 좋아짐 

- 처리속도도 크게 올라서 108MP 이상에서 제로셔터렉이 가능해지고

  48MP 이상들은 8K@60fps 촬영 및 200MP 이상은 16K@24fps 촬영도 전망