SK하이닉스가 성능을 높이고 전력소모량을 줄인 2세대(1y) 10나노급 8기가비트(Gb) DDR4 D램을 개발했다고 12일 밝혔다. 내년 1분기부터 공급에 나선다고 회사는 설명했다.10나노 2세대 제품은 1세대(1x)와 비교했을 때 생산성이 20% 가량 향상됐다. 웨이퍼 한 장당 뽑을 수 있는 D램 칩(Die) 숫자가 1x보다 20% 늘어난다는 의미다. 전력소비도 15% 이상 줄였다.데이터 전송 속도는 DDR4 규격이 지원하는 최고 속도인 3200Mbps까지 지원한다. SK하이닉스는 데이터 전송 속도를 높이기 위해 '4페이즈


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