D램.. 기술적 한계가 조만간(?) 온다. 대략 13나노? 1x, 1y도 옛날에는 불가능하다고 생각하던 시절

20나노 초반에 300mm 웨이퍼에서 3-400개의 램 다이가 나왔다면 1x에서는 5-600개. 단가 차이 크다(정확한 숫자는 틀렸을 수 있음)

EUV 도입.. 조심스럽다. 추가 비용과 단가절감 사이에 충분한 이득이 있을지? 대당 가격이 수천 억인데 잘못되면 엄청난 손실. 그래서 마이크론이 조심스러움. 반면 삼성은 D램 말아먹어도 파운드리로 돌리면 그만이라.

낸드.. 싱글스택(삼성)과 더블스택(나머지) 사이의 단가격차 크다. 에칭공정 등 공정 엄청 늘어남.

200단을 넘어가면 더블스택을 넘어 트리플스택이 나올 가능성 높음. 삼성은 일단 200단까지는 싱글로 간다

중국 YMTC 7~8년 전부터 낸드 개발. 다만 얘네가 밀고 있는 고유 기술이 웨이퍼가 따블(?)로 들어가는 기술인데 이런저런 장점이 있지만 단가 면에서 경쟁력이 있을지 미지수

차세대 메모리.. 인텔 옵테인은 여러 제품이 나왔지만 기술 세대는 여전히 1세대 머물러 있음. 연말에 2세대 나온다? 처음에 많이들 기대했으나 기술 발전이 더뎌서 최근에는..

옵테인 외에 STT-M램이 가장 두각을 드러낸다고. 삼성에서 파운드리에 적용. 에버스핀인지 하는 기업은 글파 공정에서 생산. 1기가 집적도 달성