두 노드 자체가 프론트엔드나 미들엔드 기술이 달라서

성능적으로 접근하면 비교하기 조금 애매해지지만

 

어차피 노드별 백엔드 스펙은 이미 정해져있고

동일 아키텍쳐상에서 비교해보면 대충 각이 나오게됩니다.

 

 

 

일단

8LPP 엑시노스9820과

N7 HD 기린990 4G의 다이 면적은 약 29% 정도 기린990이 더 작습니다.

 

엑시노스쪽은 Exynos-M4코어다 뭐다해서 패널티를 먹는 부분이있으니 제일 좋은건 동일 아키텍쳐 코어를

비교하는것이겠죠....

 

 

 

엑시노스9820과 기린990 4G의 연관성이라면

둘다 Mali-G76과 Cortex-A55 사용입니다.

 

각 코어 영역 다이만 떼어다가 비교해보면

 

 

 

꽤나 극단적으로 갈리게됩니다.

 

Mali-G76 코어의 경우

TSMC N7 HD 노드에서 제조된 다이가

Samsung 8LPP 노드에서 제조된 다이보다 무려 54%나 면적이 작으며

 

Cortex-A55 코어의 경우 Mali-G76만큼 극단적이지 않지만

TSMC N7 HD 노드에서 제조된 다이가

Samsung 8LPP 노드에서 제조된 다이보다 17%나 면적이 작습니다.

 

 

 

기본적으로 Samsung 8LPP는

베이스 자체는 10나노 노드기반으로 2세대 10나노인 10LPP에서

백엔드 부분이

 

68nm CPP, 48nm M1Mx, 8.75T에서

64nm CPP, 44nm M1Mx​, 8.59T로 감소한게 전부입니다.

 

이론상 약 10LPP 대비 8LPP는 셀면적이 최대 15% 만큼 감소됩니다.

 

 

문제는 TSMC N7 HD의 백엔드 스펙이

57nm CPP, 40nm M1Mx​, 6.0T으로 단순 스탠다드셀에 쓰인

6.0T 메탈트랙만 따져도 8LPP에 쓰인 8.59T 메탈트랙 대비 최소 30%가 작습니다.

 

CPP랑 M1Mx까정 같이 계산하면 더 차이가 벌어지겠죵 ㅡㅡa;;

 

 

전체 백엔드 스펙은 다음과 같이

 

TSMC N7 HD

ArFi 싱글패터닝

Metal 40nm

CPP 57nm

8fin x 30nm

Tracks 6.0T

트랜지스터밀도 91.2MTr/mm2

 

 

Samsung 8LPP

ArFi 싱글패터닝

Metal 44nm

CPP 64nm

9fin x 42nm

Tracks 8.59T

트랜지스터밀도 61.18MTr/mm2

 

 

이렇게 차이납니다....

 

 

 

사실 따지고보면 엑시노스9820 제조에 정말 8.59T가 쓰인지도 조금 의심스럽긴합니다.

클럭 성능이나 양산을 위해 8.75T나 9T같은걸 껴 얹었을수도 있기에....(이건 그냥 억측)

 

8.75T나 9T썼으면 전성비가 스탠다드셀 대비 너프먹고 빠그라지기때문에 그것도 애매하긴 하네요.....

 

 

8LPP의 경우 일단 고성능 HP옵션 없이 HPC를 대응한다고하는데...

N7 HPC랑 비교시엔 그나마 상대해볼만한 백엔드 스펙을 보여줍니다.

 

 

TSMC N7 HPC

ArFi 싱글패터닝

Metal 40nm

CPP 64nm

10fin x 30nm

Tracks 7.5T

트랜지스터밀도 64.98MTr/mm2

 

 

Samsung 8LPP

ArFi 싱글패터닝

Metal 44nm

CPP 64nm

9fin x 42nm

Tracks 8.59T

트랜지스터밀도 61.18MTr/mm2

 

 

여기선 그나마 트랜지스터밀도 차이가 그닥 안나네요....

 

 

 

 

 

<결론>

- 8LPP는 10LPP에서 면적만 15% 개선된 사실상 초고밀도(UHD)의 4세대 10나노 (3세대는 아마도 로드맵에 사라진 10LPU)

- Samsung 8LPP와 TSMC N7 HD 비교시에는 거의 풀노드급으로 차이게 8LPP가 밀림 (최소 14LPP vs 10LPE 정도)

- 그나마 고성능 옵션의 TSMC N7 HPC랑 비교하면 조금 비벼볼만 할듯한?

- 노드 스펙 외에도 각 노드별 PDK 설계 최적화에 따른 차이도있을것임 (특히 GPU부분은 스탠다드셀과 다른 셀을 썼다던가)