#메모리 반도체가 극자외선(EUV) 시대를 맞았다. 삼성전자가 D램에 EUV를 적용하는데 성공하고, 업계 최초로 차세대 D램에 EUV 공정을 전면 적용하겠다고 발표했다. EUV 기술은 반도체 미세화와 생산성 향상을 구현하기 위해 삼성전자가 내놓은 비장의 카드다. EUV는 기술 난도가 높고, 고가의 장비를 필요로 해 진입 장벽이 상당하다. 삼성전자뿐 아니라 SK하이닉스도 내년 초 양산을 목표로 EUV 연구에 박차를 가하고 있어 세계 D램 시장 1, 2위인 국내 반도체 기업이 EUV 메모리 시대를 선도할 채비에 들어갔다.

삼성전자는 최근 D램 기술 패러다임 전환의 신호탄을 쐈다. EUV 공정을 적용해 생산한 1세대(1x) 10나노급(1㎚ : 10억분의 1미터) DDR4(Double Data Rate 4) D램 모듈 100만개 이상을 공급해 글로벌 고객의 평가를 완료했다고 밝힌 것이다. 회사는 그러면서 내년부터는 4세대 10나노급 D램(1a)을 EUV로 본격 양산할 계획이라고 강조했다. 삼성은 4세대 10나노급 D램(1a) 생산을 위해 평택 메모리 공장에 EUV 전용 설비인 'P-EUV'를 갖추고 있다. 올 하반기 공사가 완료될 예정이다.

EUV는 최근 반도체 공정에서 가장 주목받는 기술이다. EUV는 웨이퍼에 반도체 회로를 찍어내는 노광 공정에서 사용되는 광원이다. 기존 노광 공정에서 사용됐던 광원은 불화아르곤(ArF)이다. EUV는 ArF보다 파장이 14분의 1에 불과해 더 미세한 회로를 정확하게 찍어낼 수 있는 것이 특징이다.

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