3nmGAAE 웨이퍼가 공개되었습니다. 

5나노 공정 대비(아마도 5LPE)

PPA(Power, Performance, Area)는

성능 30% 향상

소비전력 50% 개선

면적 35% 감소

를 이루어냈습니다...ㄷㄷㄷㄷㄷㄷㄷㄷ

더욱 흥미로운점은 당초 삼성이

3nmGAAE의 경우 기존 7나노 공정(7LPP) 대비

PPA(Power, Performance, Area)는

성능 30% 향상

소비전력 50% 개선

면적 45% 감소

라고 했었는데 해당 수치보다 더 성능업을 했습니다.

참고로 5nmLPE 기존 7나노 공정(7LPP) 대비

PPA(Power, Performance, Area)는

성능 10% 향상

소비전력 20% 개선

면적 25% 감소

입니다.

확실히 GAAFET(MBCFET) 도입으로 아주 큰 성능 향상을 이루어냈네요.

해당 공정 도입으로 기존 고밀도 미세공정에서 클럭 성능이 떨어졌던 부분과

클럭을 무리하게 올릴시 과전압을 먹는 문제들도 개선되길 기대하고있습니다.

근데 5나노때도 그렇지만

늘 그랬듯이 개발 완료 및 발표보다

우산 친구 양산이 더 중요하죠....ㅡㅡㅋㅋ