내년 양산 7세대 V낸드에 ‘더블 스택’ 적용… 160단 이상 예상
스택 하나로 128단 쌓은 삼성전자 "단순 계산하면 가능"


1일 삼성전자에 따르면 이 회사 한진만 메모리사업부 마케팅팀 전무는 전날 있었던 ‘삼성전자 투자자 포럼 2020’에서 "차세대 V낸드에 ‘투 스택(Two Stack)’ 기술을 적용할 예정"이라며 "현재의 6세대 V낸드는 ‘싱글 스택’이 적용돼 128단을 쌓는데, 투 스택 기술을 적용할 경우 단순 계산으로 256단 적층이 가능하다"고 했다.

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