TSMC N6으로 제조된 스냅드래곤778G가

GPU빼고 전체적으로 Samsung 5LPE로 제조한 스냅드래곤780G보다

더 나은 모습을 보여주고있네요...ㅡㅡa;;;

이렇게되면 결국 현재 엑시노스2100과 스냅드래곤888 불타오른 원인은

Cortex-X1 탓 + 5LPE공정 탓 둘다라는 말이됩니다.

TSMC N6의 경우 기본 베이스는 7나노인 N7/N7P이며

백엔드에 SDB (Single diffusion break)라는 기술 적용하고

CA-VIA-Metal 등에 EUV 마스크 적용해서

N7P 대비 밀도 18%, 면적 10%, 소비전력 8% 개선한 하프노드 공정입니다.

솔직히 백엔드 상태만 봤을땐 Samsung 5LPE랑 엄청 유사합니다;

5LPE도 7LPP랑 비교시 백엔드에 SDB (Single diffusion break) 도입하고

트랙도 6.75T에서 6.0T로 축소되었는데 (TSMC N7, N7P, N6, N5도 6.0T)

정작 둘이 비교시 5LPE가 N6에 밀리는 상황이라 당황스럽네요 ㅡㅡa;;

이론대로라면 5LPE 성능은 원래 N6와 N5 사이의 어딘가쯤이고

N5쪽에 좀더 근접했어야했는데 결과물만 보면 7LPP에서 성능은 전혀 개선되지 않아보입니다.

7LPP에서 백엔드만 축소하고 프론트엔드랑 미들엔드는 진짜 거의 안건든건가;;;;;

에휴..ㅠㅠ

내년 스냅드래곤895랑 엑시노스2200에 적용된 공정은 좀 다르길 바랍니다.