뭐.. 5nm 이슈로 인해 공정개발을 보다 안전하게 가는것일수도 있고..

아니면 중간에 알려지지 않은 문제점을 해결하기 위해 딜레이된것일수도 잇고 뭐...

일단 루머딱지 붙여놨습니다

원출처 가보니 내용이 좀 이상하긴 하군요.

https://semianalysis.substack.com/p/samsung-foundry-3nm-gate-all-around

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Samsung claimed impressive gains with a 35% increase to performance, 50% the power, and 45% the area compared to their 7nm technology. At this event in early 2019, Samsung also claimed their 3GAE process would offer first customer tape outs in 2020, with risk production in late 2020 and volume manufacturing in late 2021.

Fast-forward to 2021 and there are no tape outs and volume production is not anywhere close to delivery. Goals for the process may also seem to have been revised heavily with the comparison to 7nm FinFET going from a 35% performance to 10%. The logic area reduction has gone from 45% to 25%, and power has gone from 50% to 20%.

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삼성이 2020년에 3나노를 테이프아웃하고 2021년에 양산한다고 주장했다, 그런데 2021년까지 테이프아웃도 안했다 라고 하는데 애초에 그런 주장을 하지 않았던걸로 아는데..

스펙다운 얘기는 한국 커뮤에서도 나온 얘기지만 딱히 삼성에서 발표한건 없기도 하고