일단 차기 S23향

S.LSI 엑시노스2300(가칭)이 2022년부터 1세대 3나노 공정인 3GAE로 제조할것으로 보이는데

2023년 1월에 S23 시리즈가 출시한다면

삼성이 MBCFET을 확실히 TSMC, 인텔 대비 더 빨리 런칭하게됩니다.

애플이 A16을 TSMC N3로 제조해서 2022년 4분기에 출시하면

"세계최초 3나노 SoC" 마케팅은 불가능하지만

2023년에 엑시노스2300을 3GAE로 제조해서 S23에 탑재해서 출시하면

"세계최초 3나노 MBCFET SoC" 마케팅은 가능하게되네요.

TSMC는 N2부터 MBCFET이 적용되고

인텔은 20A부터 자사에서 RibbonFET로 칭한 MBCFET이 적용됩니다.

일단 3GAE 성능이 어느정도 될지가 문제겠죠....

대충 추측하기론 3GAE는 새로운 신규 4LPE 혹은 4LPP에서 백엔드는 유지하고

프론트엔드랑 미들엔드가 업그레이드되고 GAAFET이 적용된것으로 추정하고있습니다.

뭐...

인텔도 기존 준비중이던 7nm를 Intel4로 리네이밍하고 7nm+을 Intel3로 리네이밍한거라

딱히 문제될거는 없어보이긴합니다.

(이제 노드 숫자 마케팅은 레알 의미없게된;)

만약 엑시노스2200에 적용된 4LPE 성능이 꽤 괜찬다면

3GAE도 기대해볼수있을것으로 보입니다.
 

아 그리고 링크드인 정보대로라면

3나노 엑시노스부터

H.266 코덱 지원하고

LPDDR5X RAM 지원할겁니다.